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  • 型号: IPP057N06N3 G
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IPP057N06N3 G由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPP057N06N3 G价格参考¥4.05-¥9.38。InfineonIPP057N06N3 G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IPP057N06N3 G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPP057N06N3 G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3MOSFET N-KANAL POWER MOS

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

80 A

Id-连续漏极电流

80 A

品牌

Infineon Technologies

产品手册

http://www.infineon.com/dgdl/IPP_B057N06N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432313ff5e0123a334d13425c6

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPP057N06N3 GOptiMOS™

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/IPP_B057N06N3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2b439f1d4d93

产品型号

IPP057N06N3 G

Pd-PowerDissipation

115 W

Pd-功率耗散

115 W

Qg-GateCharge

61 nC

Qg-栅极电荷

61 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

5.4 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

5.4 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

3 V

Vgsth-栅源极阈值电压

3 V

上升时间

68 ns

下降时间

9 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 58µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

6600pF @ 30V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

82nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

5.7 毫欧 @ 80A,10V

产品种类

MOSFETs

供应商器件封装

TO-220-3

其它名称

IPP057N06N3G
IPP057N06N3GXKSA1
SP000446780
SP000680808

典型关闭延迟时间

32 ns

功率-最大值

115W

包装

管件

商标

Infineon Technologies

商标名

OptiMOS

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

500

正向跨导-最小值

94 S, 47 S

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

80A (Tc)

系列

IPP057N06

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

IPP057N06N3GXKSA1 SP000680808

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